1 項目背景
在中美貿易戰摩擦加劇的背景下，對於半導體材料自主控製權的爭奪（duó）已經愈演愈烈。尤其（qí）是近幾 年我國新建產能（néng）成為全球晶圓廠的主要增量，但是製約半導體產業做強的上（shàng）遊關鍵原材料（liào）和（hé）生產（chǎn）設備 仍然幾乎被美（měi）國和日本的公司所壟斷，如今西方多家（jiā）對中國科技尤（yóu）其是芯片產業的進一步（bù）封鎖，對於 我國（guó）半導體行業（yè）發展的打擊幾乎是一劍（jiàn）封喉，因此半導體材料（liào）國產化戰略地位（wèi）凸顯，在材料領域進口 替代進程加（jiā）速是大勢所趨（qū）。
2 產品說明
CMP (ChemicalMechanicalPolishing)化學機械拋光是一個化（huà）學腐蝕和（hé）機械摩擦的結合。是目（mù）前最 為普遍的半導體材料表麵平整技術，兼收了機（jī）械摩擦和化學腐（fǔ）蝕的優點，從而避免了由單（dān）純（chún）機械拋（pāo）光 造成的表麵損傷和由單（dān）純化學（xué）拋光易造成的拋光速度慢、表麵平（píng）整度和拋光一致（zhì）性差等缺點。可以獲（huò） 得比較完美（měi）的晶（jīng）片表麵。
國際上普遍（biàn）認為，器件特征尺寸在0.35μm以下時，必須進行全局平麵化以（yǐ）保證（zhèng）光刻影像傳遞的精（jīng） 確度和分辨率，而（ér）CMP是目前幾乎唯（wéi）一（yī）的可以提供全局平麵化的（de）技術。其設備作用原理圖如下：
研磨液：研磨時添加的液體狀物質，顆（kē）粒大小跟研磨後的刮傷等缺陷有（yǒu）關，顆粒越大對晶片的損 傷越大，顆粒越小越好。基本形（xíng）式是由納米粉體（tǐ）拋光劑和一個堿（jiǎn）性組分水溶液組成，顆粒的大小1-
100nm，濃度1.5%-50%，堿性組成（chéng）一般是KOH，氨或（huò）有機胺，pH為9.5-11。
由於氣相二氧化矽（guī）的高純度、可控製的原始納米粒（lì）徑和粒徑分布等，使得氣相sio2成為氧化物拋 光研磨（mó）液中的主要磨料。
3 項目原料：
金屬矽粉、鹽酸、氫氣。 年產1000噸納米（mǐ）氣相鈦白（bái）粉項目（mù） 年產20000噸特種（zhǒng）紙專（zhuān）用輕（qīng）質碳酸鈣項 目年產（chǎn）1000噸（dūn）BIPB（無味DCP）項目 持續研（yán）發
4、項目配套（tào）：
化工產業園區、蒸（zhēng）汽、電力、工業水（shuǐ）。
5、技術優勢
專利：一種氣相法生產二氧（yǎng）化矽及金屬氧化物的設備
專利：一種生產高純三氯氫（qīng）矽和四氯化矽的（de）裝置及工藝
6、項目總投資1.5億元（yuán）。
7、項目占地：30畝
8、經濟效益
